- 供应商设备包 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
3 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,091
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 21A | OptiMOS™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | PG-TO252-3 | 68W (Tc) | N-Channel | - | 150V | 21A (Tc) | 53 mOhm @ 18A, 10V | 4V @ 35µA | 12nC @ 10V | 887pF @ 75V | 8V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,835
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 50A DPAK-3 | PowerTrench® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-PAK (TO-252) | 3.1W (Ta), 127W (Tc) | N-Channel | - | 60V | 21.5A (Ta), 50A (Tc) | 4.1 mOhm @ 21.5A, 10V | 4V @ 250µA | 90nC @ 10V | 6340pF @ 30V | 8V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,961
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3 | OptiMOS™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | PG-TO252-3 | 150W (Tc) | N-Channel | - | 150V | 50A (Tc) | 20 mOhm @ 50A, 10V | 4V @ 90µA | 31nC @ 10V | 1820pF @ 75V | 8V, 10V | ±20V |