- 供应商设备包 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,738
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 10A DPAK-4 | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DPAK | 3.1W (Ta), 71W (Tc) | N-Channel | 60V | 10A (Ta), 46A (Tc) | 16 mOhm @ 19A, 10V | 2V @ 250µA | 29nC @ 10V | 1400pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,097
有现货
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Rohm Semiconductor | NCH 200V 10A POWER MOSFET | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252 | 85W (Tc) | N-Channel | 200V | 10A (Tc) | 182 mOhm @ 5A, 10V | 5.25V @ 1mA | 25nC @ 10V | 1400pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
3,684
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 46A DPAK | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DPAK | 71W (Tc) | N-Channel | 60V | 46A (Tc) | 16 mOhm @ 20A, 10V | 2V @ 250µA | 29nC @ 10V | 1400pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V |