- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
2 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,408
有现货
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 3.8A DPAK | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3 | 2.17W (Ta) | P-Channel | - | 100V | 3.8A (Ta) | 150 mOhm @ 2.8A, 10V | 4V @ 250µA | 26.9nC @ 10V | 1055pF @ 50V | 6V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,156
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 100V 8.8A DPAK | TrenchFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252, (D-Pak) | 2.5W (Ta), 32.1W (Tc) | P-Channel | - | 100V | 8.8A (Tc) | 195 mOhm @ 3.6A, 10V | 2.5V @ 250µA | 34.8nC @ 10V | 1055pF @ 50V | 4.5V, 10V | ±20V |