- 系列 :
- FET型 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,722
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 100V 3.6A DPAK | QFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-Pak | 2.5W (Ta), 25W (Tc) | P-Channel | - | 100V | 3.6A (Tc) | 1.05 Ohm @ 1.8A, 10V | 4V @ 250µA | 8.2nC @ 10V | 250pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
3,173
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-Pak | 2.5W (Ta), 25W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 4.3A (Tc) | 540 mOhm @ 2.6A, 5V | 2V @ 250µA | 6.1nC @ 5V | 250pF @ 25V | 4V, 5V | ±10V | ||
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获得报价 |
3,354
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK | UniFET™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-Pak | 43W (Tc) | N-Channel | - | 200V | 5A (Tc) | 690 mOhm @ 2.5A, 10V | 5V @ 250µA | 6.7nC @ 10V | 250pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
2,717
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK | UniFET™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-Pak | 50W (Tc) | N-Channel | - | 250V | 4.4A (Tc) | 1.1 Ohm @ 2.2A, 10V | 5V @ 250µA | 6nC @ 10V | 250pF @ 25V | 10V | ±30V |