- FET型 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,614
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 40V 10.8A DPAK | PowerTrench® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-PAK (TO-252AA) | 2.4W (Ta), 69W (Tc) | P-Channel | - | 40V | 10.8A (Ta), 50A (Tc) | 12.3 mOhm @ 12.7A, 10V | 3V @ 250µA | 50nC @ 10V | 2775pF @ 20V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,703
有现货
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 55A DPAK | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DPAK | 115W (Tc) | N-Channel | - | 55V | 55A (Tc) | 15 mOhm @ 25A, 10V | 4V @ 1mA | 50nC @ 10V | 2107pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,038
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 40V 10.8A DPAK | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-PAK (TO-252AA) | 2.4W (Ta), 69W (Tc) | P-Channel | - | 40V | 10.8A (Ta), 50A (Tc) | 12.3 mOhm @ 12.7A, 10V | 3V @ 250µA | 50nC @ 10V | 2775pF @ 20V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
736
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 25A TO252 | TrenchFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252, (D-Pak) | 62W (Tc) | N-Channel | - | 60V | 25A (Tc) | 22 mOhm @ 20A, 10V | 2.5V @ 250µA | 50nC @ 10V | 1975pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V |