- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- FET特性 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,724
有现货
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 600V 5.4A DPAK | DTMOSIV | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DPAK | 60W (Tc) | N-Channel | Super Junction | 600V | 5.4A (Ta) | 900 mOhm @ 2.7A, 10V | 3.7V @ 270µA | 10.5nC @ 10V | 380pF @ 300V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
1,236
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 3A DPAK | SuperMESH5™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DPAK | 60W (Tc) | N-Channel | - | 800V | 3A (Tc) | 2.5 Ohm @ 1.5A, 10V | 5V @ 100µA | 10.5nC @ 10V | 175pF @ 100V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
3,902
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 700V 5.4A TO252-3 | CoolMOS™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -40°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | PG-TO252-3 | 53W (Tc) | N-Channel | Super Junction | 700V | 5.4A (Tc) | 1.4 Ohm @ 1A, 10V | 3.5V @ 130µA | 10.5nC @ 10V | 225pF @ 100V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,659
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 700V 8.5A TO252-3 | CoolMOS™ P7 | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -40°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | PG-TO252-3 | 43W (Tc) | N-Channel | - | 700V | 8.5A (Tc) | 600 mOhm @ 1.8A, 10V | 3.5V @ 90µA | 10.5nC @ 10V | 364pF @ 400V | 10V | ±16V |