- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,397
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK-3 | PowerTrench® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-PAK (TO-252) | 3.1W (Ta), 29W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 4.2A (Ta), 5.5A (Tc) | 104 mOhm @ 4.2A, 10V | 3V @ 250µA | 6nC @ 10V | 285pF @ 50V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,903
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 400V 2A DPAK | UniFET™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-Pak | 30W (Tc) | N-Channel | - | 400V | 2A (Tc) | 3.4 Ohm @ 1A, 10V | 5V @ 250µA | 6nC @ 10V | 225pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
1,904
有现货
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 4A TO252 | aMOS™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -50°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252, (D-Pak) | 56.8W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 4A (Tc) | 900 mOhm @ 2A, 10V | 4.1V @ 250µA | 6nC @ 10V | 263pF @ 100V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
2,717
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK | UniFET™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-Pak | 50W (Tc) | N-Channel | - | 250V | 4.4A (Tc) | 1.1 Ohm @ 2.2A, 10V | 5V @ 250µA | 6nC @ 10V | 250pF @ 25V | 10V | ±30V |