- 供应商设备包 :
- FET型 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,167
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 50A TO252 | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | - | 71W (Tc) | P-Channel | - | 30V | 50A (Tc) | 10 mOhm @ 15A, 10V | 2.5V @ 250µA | 83nC @ 10V | 3495pF @ 15V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,651
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 65A DPAK | HEXFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-Pak | 75W (Tc) | N-Channel | - | 30V | 65A (Tc) | 10 mOhm @ 15A, 10V | 1V @ 250µA | 14nC @ 4.5V | 1030pF @ 15V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,417
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 35V 15A DPAK | PowerTrench® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-PAK (TO-252) | 3.8W (Ta), 55W (Tc) | N-Channel | - | 35V | 15A (Ta), 59A (Tc) | 10 mOhm @ 15A, 10V | 3V @ 250µA | 36nC @ 10V | 1400pF @ 20V | 4.5V, 10V | ±20V |