- 供应商设备包 :
- Vgs(th)(最大)@Id :
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- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,469
有现货
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 100V 7A DPAK | U-MOSVIII-H | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DPAK+ | 50W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 7A (Ta) | 48 mOhm @ 3.5A, 10V | 4V @ 100µA | 7.1nC @ 10V | 470pF @ 10V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,746
有现货
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 7A DPAK | DTMOSIV | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DPAK | 60W (Tc) | N-Channel | Super Junction | 600V | 7A (Ta) | 670 mOhm @ 3.5A, 10V | 4.5V @ 350µA | 16nC @ 10V | 490pF @ 300V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
1,094
有现货
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Central Semiconductor Corp | MOSFET N-CH 7A 650V DPAK | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DPAK | 1.12W (Ta), 140W (Tc) | N-Channel | - | 650V | 7A (Ta) | 1.5 Ohm @ 3.5A, 10V | 4V @ 250µA | 16.8nC @ 10V | 754pF @ 25V | 10V | 30V | ||
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获得报价 |
2,512
有现货
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V DPAK | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3 | 2.11W (Ta) | N-Channel | - | 60V | 7A (Ta) | 50 mOhm @ 3.6A, 10V | 3V @ 250µA | 20.4nC @ 10V | 1063pF @ 30V | 4.5V, 10V | ±20V |