- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,922
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V DPAK | MDmesh™ II Plus | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DPAK | 85W (Tc) | N-Channel | 600V | 7.5A (Tc) | 600 mOhm @ 3A, 10V | 4V @ 250µA | 13.5nC @ 10V | 400pF @ 100V | 10V | ±25V | ||
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获得报价 |
1,206
有现货
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Rohm Semiconductor | NCH 190V 7.5A POWER MOSFET | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252 | 52W (Tc) | N-Channel | 190V | 7.5A (Tc) | 336 mOhm @ 3.8A, 10V | 2.5V @ 1mA | 30nC @ 10V | 1100pF @ 25V | 4V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,127
有现货
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STMicroelectronics | N-CHANNEL 600 V, 0.550 OHM TYP., | MDmesh™ M2-EP | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DPAK | 85W (Tc) | N-Channel | 600V | 7.5A (Tc) | 595 mOhm @ 3.75A, 10V | 4.75V @ 250µA | 12.4nC @ 10V | 390pF @ 100V | 10V | ±25V | ||
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获得报价 |
3,336
有现货
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Rohm Semiconductor | NCH 200V 7.5A POWER MOSFET | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252 | 52W (Tc) | N-Channel | 200V | 7.5A (Tc) | 325 mOhm @ 3.75A, 10V | 5.25V @ 1mA | 15nC @ 10V | 755pF @ 25V | 10V | ±30V |