- 供应商设备包 :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
3 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,941
有现货
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Rohm Semiconductor | NCH 100V 10A POWER MOSFET | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252 | 20W (Tc) | N-Channel | 100V | 10A (Ta) | 133 mOhm @ 5A, 10V | 2.5V @ 1mA | 18nC @ 10V | 700pF @ 25V | 4V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
967
有现货
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 10A TO252 | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3 | 1.71W (Ta) | N-Channel | 30V | 10A (Ta) | 17 mOhm @ 9A, 10V | 1.6V @ 250µA | 8.7nC @ 5V | 798pF @ 10V | 4.5V, 10V | ±25V | ||
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获得报价 |
892
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 10A TP-FA | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DPAK/TP-FA | 1W (Ta), 52W (Tc) | N-Channel | 250V | 10A (Ta) | 420 mOhm @ 5A, 10V | 4.5V @ 1mA | 16nC @ 10V | 980pF @ 20V | 10V | ±30V |