- 供应商设备包 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,360
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 31A TO252-3 | CoolMOS™ CFD7 | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | PG-TO252-3 | 51W (Tc) | N-Channel | - | 650V | 51A (Tc) | 280 mOhm @ 3.6A, 10V | 4.5V @ 180µA | 18nC @ 10V | 807pF @ 400V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,869
有现货
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 18A DPAK | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DPAK | 51W (Tc) | N-Channel | - | 55V | 18A (Tc) | 77 mOhm @ 10A, 10V | 4V @ 1mA | - | 422pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,760
有现货
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 18A DPAK | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DPAK | 51W (Tc) | N-Channel | - | 55V | 18A (Tc) | 69 mOhm @ 10A, 10V | 2V @ 1mA | 11nC @ 5V | 643pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±15V | ||
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获得报价 |
1,294
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 7A TO252-3 | CoolMOS™ P7 | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | PG-TO252-3 | 51W (Tc) | N-Channel | - | 800V | 7A (Tc) | 750 mOhm @ 2.7A, 10V | 3.5V @ 140µA | 17nC @ 10V | 460pF @ 500V | 10V | ±20V |