- 供应商设备包 :
- FET特性 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
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- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
629
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 17A TO252 | CoolMOS™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252 | 101W (Tc) | N-Channel | Super Junction | 800V | 17A (Tc) | 280 mOhm @ 7.2A, 10V | 3.5V @ 360µA | 36nC @ 10V | 1200pF @ 500V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,669
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CHANNEL 40V 101A DPAK | Automotive, AEC-Q101 | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DPAK | 101W (Tc) | N-Channel | - | 40V | 101A (Tc) | 3.5 mOhm @ 50A, 10V | 4V @ 250µA | 34.3nC @ 10V | 2300pF @ 25V | 10V | ±20V |