- 供应商设备包 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
获得报价 |
3,472
有现货
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 5A DPAK | HEXFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-Pak | 43W (Tc) | N-Channel | - | 200V | 5A (Tc) | 600 mOhm @ 2.9A, 10V | 4V @ 250µA | 23nC @ 10V | 300pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
|
|
获得报价 |
2,659
有现货
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 700V 8.5A TO252-3 | CoolMOS™ P7 | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -40°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | PG-TO252-3 | 43W (Tc) | N-Channel | - | 700V | 8.5A (Tc) | 600 mOhm @ 1.8A, 10V | 3.5V @ 90µA | 10.5nC @ 10V | 364pF @ 400V | 10V | ±16V | ||
|
|
获得报价 |
3,354
有现货
|
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK | UniFET™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-Pak | 43W (Tc) | N-Channel | - | 200V | 5A (Tc) | 690 mOhm @ 2.5A, 10V | 5V @ 250µA | 6.7nC @ 10V | 250pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
|
|
获得报价 |
2,448
有现货
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 5A DPAK | HEXFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-Pak | 43W (Tc) | N-Channel | - | 200V | 5A (Tc) | 600 mOhm @ 2.9A, 10V | 4V @ 250µA | 23nC @ 10V | 300pF @ 25V | 10V | ±20V |