- 供应商设备包 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
785
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 250V 25A | OptiMOS™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | PG-TO252-3 | 136W (Tc) | N-Channel | - | 250V | 25A (Tc) | 60 mOhm @ 25A, 10V | 4V @ 90µA | 29nC @ 10V | 2350pF @ 100V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
2,062
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3 | OptiMOS™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | PG-TO252-3 | 136W (Tc) | N-Channel | - | 120V | 75A (Tc) | 11 mOhm @ 75A, 10V | 3V @ 83µA (Typ) | 65nC @ 10V | 4310pF @ 60V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
2,509
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 | OptiMOS™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | PG-TO252-3-11 | 136W (Tc) | N-Channel | - | 55V | 30A (Tc) | 14.7 mOhm @ 30A, 10V | 4V @ 80µA | 110nC @ 10V | 1485pF @ 25V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
3,466
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 34A | OptiMOS™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | PG-TO252-3 | 136W (Tc) | N-Channel | - | 200V | 34A (Tc) | 32 mOhm @ 34A, 10V | 4V @ 90µA | 29nC @ 10V | 2350pF @ 100V | 10V | ±20V |