- FET型 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,855
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 90A | OptiMOS™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | PG-TO252-3 | 150W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 90A (Tc) | 6.8 mOhm @ 90A, 10V | 3.5V @ 90µA | 68nC @ 10V | 4910pF @ 50V | 6V, 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
3,811
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3 | OptiMOS™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | PG-TO252-3 | 150W (Tc) | N-Channel | - | 80V | 90A (Tc) | 5.3 mOhm @ 90A, 10V | 3.5V @ 90µA | 69nC @ 10V | 4750pF @ 40V | 6V, 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
1,961
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3 | OptiMOS™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | PG-TO252-3 | 150W (Tc) | N-Channel | - | 150V | 50A (Tc) | 20 mOhm @ 50A, 10V | 4V @ 90µA | 31nC @ 10V | 1820pF @ 75V | 8V, 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
1,554
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3 | OptiMOS™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | PG-TO252-3 | 150W (Tc) | P-Channel | - | 30V | 70A (Tc) | 4.2 mOhm @ 70A, 10V | 2V @ 270µA | 175nC @ 10V | 12400pF @ 15V | 4.5V, 10V | ±20V |