- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
3 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
获得报价 |
826
有现货
|
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 11A DPAK | MDmesh™ M2 | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DPAK | 110W (Tc) | N-Channel | - | 650V | 11A (Tc) | 360 mOhm @ 5.5A, 10V | 4V @ 250µA | 19.5nC @ 10V | 718pF @ 100V | 10V | ±25V | ||
|
|
获得报价 |
2,604
有现货
|
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 12A DPAK | MDmesh™ M2 | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DPAK | 110W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 12A (Tc) | 320 mOhm @ 6A, 10V | 4V @ 250µA | 19nC @ 10V | 700pF @ 100V | 10V | ±25V | ||
|
|
获得报价 |
979
有现货
|
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 10A DPAK | MDmesh™ M2 | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DPAK | 110W (Tc) | N-Channel | - | 650V | 10A (Tc) | 430 mOhm @ 5A, 10V | 4V @ 250µA | 17nC @ 10V | 590pF @ 100V | 10V | ±25V |