- 零件状态 :
- 功耗(最大) :
- FET型 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
3 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,268
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET P-CH 500V 2.8A DPAK | SuperMESH™ | Obsolete | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DPAK | 70W (Tc) | P-Channel | - | 500V | 2.8A (Tc) | 4 Ohm @ 1.4A, 10V | 4.5V @ 100µA | 20nC @ 10V | 620pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
1,235
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 900V 3A DPAK | SuperMESH™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DPAK | 90W (Tc) | N-Channel | - | 900V | 3A (Tc) | 4.8 Ohm @ 1.5A, 10V | 4.5V @ 50µA | 22.7nC @ 10V | 590pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
1,519
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 1000V 2.5A DPAK | SuperMESH™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DPAK | 90W (Tc) | N-Channel | - | 1000V | 2.5A (Tc) | 6 Ohm @ 1.25A, 10V | 4.5V @ 50µA | 18nC @ 10V | 601pF @ 25V | 10V | ±30V |