- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
3 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,767
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 42A DPAK | HEXFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-Pak | 110W (Tc) | N-Channel | - | 75V | 42A (Tc) | 26 mOhm @ 25A, 10V | 4V @ 250µA | 110nC @ 10V | 2400pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,438
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 56A DPAK | HEXFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-Pak | 140W (Tc) | N-Channel | - | 75V | 56A (Tc) | 9 mOhm @ 46A, 10V | 4V @ 100µA | 84nC @ 10V | 3070pF @ 50V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,088
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 87A D2PAK | HEXFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-PAK (TO-252AA) | 140W (Tc) | N-Channel | - | 75V | 87A (Tc) | 7.2 mOhm @ 52A, 10V | 3.7V @ 100µA | 126nC @ 10V | 4430pF @ 25V | 6V, 10V | ±20V |