- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,738
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N CH 650V 9A DPAK | MDmesh™ V | Discontinued at Digi-Key | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DPAK | 85W (Tc) | N-Channel | - | 650V | 9A (Tc) | 480 mOhm @ 4.5A, 10V | 5V @ 250µA | 17nC @ 10V | 620pF @ 100V | 10V | ±25V | ||
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获得报价 |
3,511
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CHANNEL 600V 9A DPAK | MDmesh™ M2 | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DPAK | 85W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 9A (Tc) | 450 mOhm @ 4.5A, 10V | 4V @ 250µA | 16nC @ 10V | 538pF @ 100V | 10V | ±25V | ||
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获得报价 |
1,456
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N CH 650V 11A DPAK | MDmesh™ V | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DPAK | 85W (Tc) | N-Channel | - | 650V | 11A (Tc) | 340 mOhm @ 5.5A, 10V | 5V @ 250µA | 22nC @ 10V | 816pF @ 100V | 10V | ±25V | ||
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获得报价 |
3,350
有现货
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STMicroelectronics | N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP., | MDmesh™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DPAK | 85W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 8A (Tc) | 600 mOhm @ 4A, 10V | 5V @ 100µA | 13.5nC @ 10V | 375pF @ 100V | 10V | ±30V |