- 系列 :
- FET型 :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,882
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 3.6A DPAK | HEXFET® | Discontinued at Digi-Key | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-Pak | 78W (Tc) | N-Channel | 500V | 3.6A (Tc) | 2.2 Ohm @ 2.2A, 10V | 5V @ 250µA | 20nC @ 10V | 810pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,577
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | - | 42W (Tc) | P-Channel | 200V | 3.6A (Tc) | 1.5 Ohm @ 2.2A, 10V | 4V @ 250µA | 20nC @ 10V | 340pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,722
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 100V 3.6A DPAK | QFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-Pak | 2.5W (Ta), 25W (Tc) | P-Channel | 100V | 3.6A (Tc) | 1.05 Ohm @ 1.8A, 10V | 4V @ 250µA | 8.2nC @ 10V | 250pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
2,857
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-Pak | 2.5W (Ta), 42W (Tc) | P-Channel | 200V | 3.6A (Tc) | 1.5 Ohm @ 2.2A, 10V | 4V @ 250µA | 20nC @ 10V | 340pF @ 25V | 10V | ±20V |