- 供应商设备包 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,507
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 51A TO252-3 | CoolMOS™ CFD7 | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | PG-TO252-3 | 76W (Tc) | N-Channel | - | 650V | 14A (Tc) | 170 mOhm @ 6A, 10V | 4.5V @ 300µA | 28nC @ 10V | 1199pF @ 400V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,329
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 51A PGVSON-4 | CoolMOS™ CFD7 | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -40°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 4-PowerTSFN | PG-VSON-4 | 85W (Tc) | N-Channel | - | 650V | 14A (Tc) | 185 mOhm @ 6A, 10V | 4.5V @ 300µA | 28nC @ 10V | 1199pF @ 400V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,391
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 129A PGVSON-4 | CoolMOS™ CFD7 | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -40°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 4-PowerTSFN | PG-VSON-4 | 189W (Tc) | N-Channel | - | 650V | 33A (Tc) | 75 mOhm @ 15.1A, 10V | 4.5V @ 760µA | 67nC @ 10V | 2721pF @ 400V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,360
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 31A TO252-3 | CoolMOS™ CFD7 | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | PG-TO252-3 | 51W (Tc) | N-Channel | - | 650V | 51A (Tc) | 280 mOhm @ 3.6A, 10V | 4.5V @ 180µA | 18nC @ 10V | 807pF @ 400V | 10V | ±20V |