- 零件状态 :
- 包装材料 :
- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- FET型 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,035
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC | PowerTrench® | Obsolete | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SO | 2.5W (Ta) | P-Channel | - | 30V | 14.5A (Ta) | 7.2 mOhm @ 14.5A, 10V | 3V @ 250µA | 118nC @ 10V | 4480pF @ 15V | 4.5V, 10V | ±25V | ||
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获得报价 |
2,080
有现货
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STMicroelectronics | POWER MOSFET | MDmesh™ M2 | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-247-3 | TO-247 | 450W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 68A (Tc) | 40 mOhm @ 34A, 10V | 4V @ 250µA | 118nC @ 10V | 5200pF @ 100V | 10V | ±25V | ||
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获得报价 |
2,523
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 68A TO247 | MDmesh™ II Plus | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-247-3 | TO-247 | 450W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 68A (Tc) | 40 mOhm @ 34A, 10V | 4V @ 250µA | 118nC @ 10V | 5200pF @ 100V | 10V | ±25V |