- 包装材料 :
- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- FET型 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,738
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8 | TrenchFET® | Obsolete | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 | 5.4W (Ta), 83.3W (Tc) | P-Channel | - | 30V | 35A (Tc) | 6.5 mOhm @ 24A, 10V | 3V @ 250µA | 150nC @ 10V | 4650pF @ 15V | 10V | ±25V | ||
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获得报价 |
2,593
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8 | TrenchFET® | Obsolete | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 | 5.4W (Ta), 83.3W (Tc) | P-Channel | - | 30V | 35A (Tc) | 6.5 mOhm @ 24A, 10V | 3V @ 250µA | 150nC @ 10V | 4650pF @ 15V | 10V | ±25V | ||
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获得报价 |
2,493
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N CH 600V 45A TO-247 | MDmesh™ II | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Through Hole | TO-247-3 | TO-247 | 300W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 45A (Tc) | 60 mOhm @ 22.5A, 10V | 4V @ 250µA | 150nC @ 10V | 4800pF @ 50V | 10V | ±25V |