- 零件状态 :
- 包装材料 :
- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- FET型 :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
5 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
761
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 90A TO-247 | QFET® | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-247-3 | TO-247 | 375W (Tc) | N-Channel | - | 150V | 90A (Tc) | 18 mOhm @ 45A, 10V | 4V @ 250µA | 285nC @ 10V | 8700pF @ 25V | 10V | ±25V | ||
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获得报价 |
2,905
有现货
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 90A POWERDI5060 | - | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | PowerDI5060-8 | 2.7W (Ta) | P-Channel | - | 30V | 90A (Tc) | 7 mOhm @ 15A, 10V | 3V @ 250µA | 64.2nC @ 10V | 2826pF @ 15V | 4.5V, 10V | ±25V | ||
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获得报价 |
3,107
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 90A TO-3P | QFET® | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3PN | 375W (Tc) | N-Channel | - | 150V | 90A (Tc) | 18 mOhm @ 45A, 10V | 4V @ 250µA | 285nC @ 10V | 8700pF @ 25V | 10V | ±25V | ||
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获得报价 |
3,238
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 90A TO-3P | QFET® | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3PN | 375W (Tc) | N-Channel | - | 150V | 90A (Tc) | 18 mOhm @ 45A, 10V | 4V @ 250µA | 285nC @ 10V | 8700pF @ 25V | 10V | ±25V | ||
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获得报价 |
1,466
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 80V 90A TO-3P | QFET® | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3PN | 214W (Tc) | N-Channel | - | 80V | 90A (Tc) | 16 mOhm @ 45A, 10V | 4V @ 250µA | 110nC @ 10V | 3250pF @ 25V | 10V | ±25V |