- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
957
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 130A | PowerTrench® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) | D²PAK (TO-263) | 3.8W (Ta), 300W (Tc) | N-Channel | - | 150V | 130A (Tc) | 6.4 mOhm @ 18A, 10V | 4V @ 250µA | 135nC @ 10V | 9895pF @ 75V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
3,861
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 130A F7 8PWRFLAT | STripFET™ F7 | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerVDFN | PowerFlat™ (5x6) | 4.8W (Ta), 125W (Tc) | N-Channel | - | 60V | 130A (Tc) | 3.5 mOhm @ 13A, 10V | 4V @ 250µA | 42nC @ 10V | 2600pF @ 25V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
817
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 130A D2PAK | PowerTrench® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D²PAK | 333W (Tc) | N-Channel | - | 150V | 130A (Tc) | 7.5 mOhm @ 100A, 10V | 4V @ 250µA | 100nC @ 10V | 7350pF @ 75V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
1,701
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK | HEXFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D2PAK | 300W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 130A (Tc) | 7 mOhm @ 75A, 10V | 4V @ 250µA | 250nC @ 10V | 7670pF @ 50V | 10V | ±20V |