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漏极-源极电压(Vdss) :
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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
NTD4960NT4G
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RFQ
1,123
有现货
ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 11.1A DPAK - Obsolete Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 DPAK 1.07W (Ta), 35.71W (Tc) N-Channel - 30V 8.9A (Ta), 55A (Tc) 8 mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 22nC @ 10V 1300pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
SUP75P05-08-E3
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RFQ
3,037
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 55V 75A TO220-3 TrenchFET® Obsolete Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220AB 3.7W (Ta), 250W (Tc) P-Channel - 55V 75A (Tc) 8 mOhm @ 30A, 10V 3V @ 250µA 225nC @ 10V 8500pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
BSC0908NSATMA1
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2,855
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 34V 49A 8TDSON OptiMOS™ Obsolete Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN PG-TDSON-8 2.5W (Ta), 30W (Tc) N-Channel - 34V 14A (Ta), 49A (Tc) 8 mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 14nC @ 10V 1220pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
SUM110P06-08L-E3
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$4.57
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RFQ
2,752
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 60V 110A D2PAK TrenchFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263 (D2Pak) 3.75W (Ta), 272W (Tc) P-Channel - 60V 110A (Tc) 8 mOhm @ 30A, 10V 3V @ 250µA 240nC @ 10V 9200pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
IPB080N03LGATMA1
单位
$1.17
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RFQ
1,676
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 50A TO263-3 OptiMOS™ Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D²PAK (TO-263AB) 47W (Tc) N-Channel - 30V 50A (Tc) 8 mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 18nC @ 10V 1900pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
BSC080N03MSGATMA1
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$0.77
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RFQ
2,940
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 53A TDSON-8 OptiMOS™ Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN PG-TDSON-8 2.5W (Ta), 35W (Tc) N-Channel - 30V 13A (Ta), 53A (Tc) 8 mOhm @ 30A, 10V 2V @ 250µA 27nC @ 10V 2100pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
NTD4909NT4G
单位
$0.59
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RFQ
3,173
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 8.8A SGL DPAK - Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 DPAK 1.37W (Ta), 29.4W (Tc) N-Channel - 30V 8.8A (Ta), 41A (Tc) 8 mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 17.5nC @ 10V 1314pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
BSC080N03LSGATMA1
单位
$0.77
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RFQ
2,702
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 53A TDSON-8 OptiMOS™ Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN PG-TDSON-8 2.5W (Ta), 35W (Tc) N-Channel - 30V 14A (Ta), 53A (Tc) 8 mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 21nC @ 10V 1700pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
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