- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,820
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SC-7 | TrenchFET® Gen IV | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® SC-70-6 | PowerPAK® SC-70-6 Single | 3.5W (Ta), 19W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 5.4A (Ta), 12A (Tc) | 55 mOhm @ 4A, 10V | 4V @ 250µA | 13nC @ 10V | 550pF @ 50V | 7.5V, 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
3,253
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212 | TrenchFET® Gen IV | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 | 3.2W (Ta), 24W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 5.2A (Ta), 14.2A (Tc) | 54 mOhm @ 4A, 10V | 4V @ 250µA | 13nC @ 10V | 550pF @ 50V | 7.5V, 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
744
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 21A PPAK SO-8 | TrenchFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | 4.1W (Ta), 29.7W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 21A (Tc) | 33 mOhm @ 10A, 10V | 3V @ 250µA | 19.5nC @ 10V | 550pF @ 50V | 4.5V, 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
2,924
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 28A PPAK 1212 | TrenchFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 | 3.7W (Ta), 52W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 28A (Tc) | 33 mOhm @ 10A, 10V | 3V @ 250µA | 19.5nC @ 10V | 550pF @ 50V | 4.5V, 10V | ±20V |