- 供应商设备包 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,219
有现货
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 100V 15A VSONP | NexFET™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerVDFN | 8-VSONP (3x3.15) | 2.8W (Ta), 23W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 15A (Ta) | 59 mOhm @ 5A, 10V | 3.8V @ 250µA | 4.3nC @ 10V | 454pF @ 50V | 6V, 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
943
有现货
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Texas Instruments | MOSFET NCH 100V 14.4A SON | NexFET™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 6-WDFN Exposed Pad | 6-WSON (2x2) | 2.5W (Ta), 20.2W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 14.4A (Ta) | 59 mOhm @ 5A, 10V | 3.8V @ 250µA | 5.6nC @ 10V | 454pF @ 50V | 6V, 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
1,827
有现货
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Texas Instruments | MOSFET NCH 100V 13.1A 6WSON | NexFET™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 6-WDFN Exposed Pad | 6-WSON (2x2) | 2.5W (Ta), 20.2W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 13.1A (Tc) | 59 mOhm @ 5A, 10V | 3.8V @ 250µA | 5.6nC @ 10V | 454pF @ 50V | 6V, 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
3,001
有现货
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 100V 15A VSONP | NexFET™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerVDFN | 8-VSONP (3x3.15) | 2.8W (Ta), 23W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 15A (Ta) | 59 mOhm @ 5A, 10V | 3.8V @ 250µA | 4.3nC @ 10V | 454pF @ 50V | 6V, 10V | ±20V |