- 供应商设备包 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,979
有现货
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V SO-8 | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SO | 1.4W (Ta) | N-Channel | - | 100V | 11.5A (Ta), 29.5A (Tc) | 9.5 mOhm @ 13A, 10V | 2.8V @ 250µA | 71nC @ 10V | 3000pF @ 50V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,171
有现货
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 9.4A | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | PowerDI5060-8 | 1.2W (Ta), 139W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 9.4A (Ta), 98A (Tc) | 9.5 mOhm @ 13A, 10V | 3.5V @ 250µA | 71nC @ 10V | 3000pF @ 50V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,694
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 12.4A POWER56 | PowerTrench® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | 8-PQFN (5x6) | 2.5W (Ta), 104W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 12.4A (Ta), 60A (Tc) | 8 mOhm @ 13A, 10V | 4V @ 250µA | 55nC @ 10V | 3000pF @ 50V | 6V, 10V | ±20V |