- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,737
有现货
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI | - | Discontinued at Digi-Key | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerWDFN | PowerDI3333-8 | 1W (Ta) | N-Channel | 100V | 3.8A (Ta) | 110 mOhm @ 3.3A, 10V | 3V @ 250µA | 10.6nC @ 10V | 549pF @ 50V | 6V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,347
有现货
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI | - | Discontinued at Digi-Key | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerWDFN | PowerDI3333-8 | 1W (Ta) | N-Channel | 100V | 3.8A (Ta) | 110 mOhm @ 3.3A, 10V | 3V @ 250µA | 10.6nC @ 10V | 549pF @ 50V | 6V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,438
有现货
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223 | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-261-4, TO-261AA | SOT-223 | 1.3W (Ta) | N-Channel | 100V | 3.6A (Ta) | 110 mOhm @ 3.3A, 10V | 3V @ 250µA | 10nC @ 10V | 549pF @ 50V | 6V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,098
有现货
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerVDFN | PowerDI3333-8 | 1W (Ta) | N-Channel | 100V | 3.8A (Ta) | 110 mOhm @ 3.3A, 10V | 3V @ 250µA | 10.6nC @ 10V | 549pF @ 50V | 6V, 10V | ±20V |