- 零件状态 :
- FET型 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,391
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK | TrenchFET® | Obsolete | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263 (D2Pak) | 3.75W (Ta), 136W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 47A (Tc) | 24 mOhm @ 40A, 10V | 3V @ 250µA | 60nC @ 10V | 2400pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
1,151
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK | TrenchFET® | Obsolete | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263 (D2Pak) | 3.75W (Ta), 107W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 40A (Tc) | 30 mOhm @ 15A, 10V | 4V @ 250µA | 60nC @ 10V | 2400pF @ 25V | 6V, 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
1,113
有现货
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Rohm Semiconductor | PCH -100V -13A POWER MOSFET | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252 | 20W (Tc) | P-Channel | - | 100V | 13A (Ta) | 200 mOhm @ 6.5A, 10V | 2.5V @ 1mA | 40nC @ 10V | 2400pF @ 25V | 4V, 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
1,166
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 40A TO252 | TrenchFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252, (D-Pak) | 3W (Ta), 136W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 40A (Tc) | 25 mOhm @ 40A, 10V | 3V @ 250µA | 60nC @ 10V | 2400pF @ 25V | 10V | ±20V |