- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,541
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK | HEXFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D2PAK | 3.8W (Ta), 70W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 17A (Tc) | 90 mOhm @ 9A, 10V | 4V @ 250µA | 37nC @ 10V | 920pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,235
有现货
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 48A DPAK | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 185°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DPAK | 167W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 48A (Tc) | 27 mOhm @ 25A, 10V | 4V @ 1mA | 37nC @ 10V | 2789pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,600
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-SOIC | PowerTrench® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SO | 2.5W (Ta) | N-Channel | - | 100V | 7.5A (Ta) | 23 mOhm @ 7.5A, 10V | 4V @ 250µA | 37nC @ 10V | 2015pF @ 25V | 6V, 10V | ±20V |