- 供应商设备包 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
3 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,202
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8 | TrenchFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | 6.25W (Ta), 104W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 60A (Tc) | 6 mOhm @ 20A, 10V | 3V @ 250µA | 84nC @ 10V | 2840pF @ 50V | 4.5V, 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
1,941
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8 | TrenchFET® Gen IV | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | 5.4W (Ta), 100W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 18.3A (Ta), 79A (Tc) | 6.4 mOhm @ 15A, 10V | 3.5V @ 250µA | 84nC @ 10V | 4230pF @ 50V | 7.5V, 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
928
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 38A 8-MLP | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | Power56 | 94W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 38A (Tc) | 26 mOhm @ 20A, 10V | 3V @ 250µA | 84nC @ 10V | 3945pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V |