- 零件状态 :
- 供应商设备包 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
获得报价 |
2,453
有现货
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 10A 5X6 PQFN | HEXFET® | Obsolete | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerVDFN | PQFN (5x6) | 3.6W (Ta), 104W (Tc) | N-Channel | 100V | 10A (Ta), 55A (Tc) | 14.9 mOhm @ 33A, 10V | 4V @ 100µA | 59nC @ 10V | 2570pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
|
|
获得报价 |
1,712
有现货
|
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 44A POWER56 | PowerTrench® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | 8-PQFN (5x6) | 2.5W (Ta), 125W (Tc) | N-Channel | 100V | 44A (Ta), 124A (Tc) | 4.2 mOhm @ 44A, 10V | 4V @ 250µA | 59nC @ 10V | 4125pF @ 50V | 6V, 10V | ±20V | ||
|
|
获得报价 |
2,344
有现货
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 10A 8-PQFN | HEXFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerVDFN | PQFN (5x6) | 3.6W (Ta) | N-Channel | 100V | 10A (Ta), 55A (Tc) | 14.9 mOhm @ 33A, 10V | 4V @ 100µA | 59nC @ 10V | 2570pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
|
|
获得报价 |
3,000
有现货
|
Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 68A D2PAK | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D2PAK | 170W (Tc) | N-Channel | 100V | 68A (Tc) | 13.9 mOhm @ 15A, 10V | 4V @ 1mA | 59nC @ 10V | 3195pF @ 50V | 10V | ±20V |