- 供应商设备包 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
3 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,801
有现货
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Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 40A LPTS | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | LPTS (SC-83) | 1.35W (Ta), 50W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 40A (Tc) | 27 mOhm @ 40A, 10V | 2.5V @ 1mA | 90nC @ 10V | 3600pF @ 25V | 4V, 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
793
有现货
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N CH 100V 28A DFN5X6 | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerSMD, Flat Leads | 8-DFN (5x6) | 7.3W (Ta), 208W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 28A (Ta), 85A (Tc) | 4.6 mOhm @ 20A, 10V | 3.4V @ 250µA | 90nC @ 10V | 4600pF @ 50V | 6V, 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
1,801
有现货
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK | TrenchMOS™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D2PAK | 300W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 75A (Tc) | 15 mOhm @ 25A, 10V | 4V @ 1mA | 90nC @ 10V | 4900pF @ 25V | 10V | ±20V |