- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,508
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 18A | FASTIRFET™, HEXFET® | Obsolete | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | PQFN (5x6) | 3.8W (Ta), 132W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 18A (Ta), 105A (Tc) | 6 mOhm @ 50A, 10V | 3.9V @ 150µA | 50nC @ 10V | 2116pF @ 50V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,435
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 50A D2PK TO263 | ThunderFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263 (D2Pak) | 125W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 50A (Tc) | 8.9 mOhm @ 20A, 10V | 4V @ 250µA | 50nC @ 10V | 1950pF @ 50V | 7.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
643
有现货
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 100V 11.5A 8SOIC | - | Not For New Designs | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SO | 3.1W (Ta) | N-Channel | - | 100V | 11.5A (Ta) | 12 mOhm @ 11.5A, 10V | 2.4V @ 250µA | 50nC @ 10V | 2420pF @ 50V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,365
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 14A POWER56 | PowerTrench® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | Power56 | 2.7W (Ta), 125W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 14A (Ta), 45A (Tc) | 6 mOhm @ 14A, 10V | 4V @ 250µA | 50nC @ 10V | 3370pF @ 50V | 6V, 10V | ±20V |