- 零件状态 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,489
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 8.2A DPAK | TrenchFET® | Obsolete | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252, (D-Pak) | 3W (Ta), 136.4W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 8.2A (Ta), 50A (Tc) | 18.5 mOhm @ 15A, 10V | 5V @ 250µA | 75nC @ 10V | 2600pF @ 50V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,835
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 60A POLARPAK | TrenchFET® | Obsolete | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 10-PolarPAK® (L) | 10-PolarPAK® (L) | 5.2W (Ta), 125W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 60A (Tc) | 14.2 mOhm @ 13.2A, 10V | 4.4V @ 250µA | 75nC @ 10V | 3100pF @ 50V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,259
有现货
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V LFPAK | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | SC-100, SOT-669 | LFPAK56, Power-SO8 | 238W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 82A (Tj) | 13 mOhm @ 20A, 10V | 4V @ 1mA | 75nC @ 10V | 3775pF @ 50V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,981
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 8.9A POWER56 | PowerTrench® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | 8-PQFN (5x6) | 2.5W (Ta), 104W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 8.9A (Ta), 49A (Tc) | 14.8 mOhm @ 8.9A, 10V | 4.5V @ 250µA | 75nC @ 10V | 4620pF @ 50V | 10V | ±20V |