- FET型 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,387
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 14.7A SO-8 | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | 27W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 14.7A (Tc) | 95 mOhm @ 4A, 10V | 3.5V @ 250µA | 7nC @ 10V | 220pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,079
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 360MA SC-59-3 | SIPMOS® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | PG-SC-59 | 500mW (Tc) | P-Channel | - | 100V | 360mA (Ta) | 1.8 Ohm @ 360mA, 10V | 1V @ 170µA | 7nC @ 10V | 165pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,772
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT-223-4 | PowerTrench® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-261-4, TO-261AA | SOT-223-4 | 2.2W (Ta) | N-Channel | - | 100V | 3.2A (Ta) | 108 mOhm @ 3.2A, 10V | 2.2V @ 250µA | 7nC @ 10V | 315pF @ 50V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,553
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-PQFN | PowerTrench® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | 8-PQFN (5x6) | 2.5W (Ta), 31W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 4.8A (Ta), 16.5A (Tc) | 56 mOhm @ 4.8A, 10V | 4V @ 250µA | 7nC @ 10V | 400pF @ 50V | 6V, 10V | ±20V |