- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,511
有现货
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 0.075A SOT23-3 | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SOT-23-3 | 330mW (Ta) | P-Channel | 100V | 75mA (Ta) | 20 Ohm @ 150mA, 10V | 3.5V @ 1mA | 50pF @ 25V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
3,170
有现货
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 0.31A SOT223 | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-261-4, TO-261AA | SOT-223 | 2W (Ta) | P-Channel | 100V | 310mA (Ta) | 8 Ohm @ 375mA, 10V | 3.5V @ 1mA | 100pF @ 25V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
1,378
有现货
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Microchip Technology | MOSFET P-CH 100V 0.12A SOT23-3 | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236AB (SOT23) | 360mW (Ta) | P-Channel | 100V | 120mA (Tj) | 12 Ohm @ 500mA, 10V | 3.5V @ 1mA | 60pF @ 25V | 5V, 10V | ±20V |