- 供应商设备包 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,627
有现货
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON | NexFET™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerVDFN | 8-VSON (3.3x3.3) | 2.8W (Ta), 83W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 50A (Ta) | 14.5 mOhm @ 10A, 10V | 3.6V @ 250µA | 21nC @ 10V | 1680pF @ 50V | 6V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,477
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8 | TrenchFET® Gen IV | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | 5W (Ta), 65.7W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 12.4A (Ta), 45A (Tc) | 13.5 mOhm @ 10A, 10V | 3.6V @ 250µA | 41.5nC @ 10V | 2060pF @ 50V | 7.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,436
有现货
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON | NexFET™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerVDFN | 8-VSON (3.3x3.3) | 2.8W (Ta), 83W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 50A (Ta) | 14.5 mOhm @ 10A, 10V | 3.6V @ 250µA | 21nC @ 10V | 1680pF @ 50V | 6V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,110
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 37A POWERPAKSO | TrenchFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | 44.5W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 37A (Tc) | 16.2 mOhm @ 15A, 10V | 3.6V @ 250µA | 22nC @ 6V | 1360pF @ 50V | 6V, 10V | ±20V |