- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,378
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2 | OptiMOS™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -40°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 3-WDSON | MG-WDSON-2, CanPAK M™ | 2.8W (Ta), 78W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 9A (Ta), 83A (Tc) | 5.6 mOhm @ 30A, 10V | 3.5V @ 100µA | 74nC @ 10V | 5500pF @ 50V | 6V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,695
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 131A D2PK TO263 | ThunderFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263 (D2Pak) | 375W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 131A (Tc) | 5.6 mOhm @ 30A, 10V | 4V @ 250µA | 81nC @ 10V | 3330pF @ 50V | 7.5V, 10V | ±20V |