- 零件状态 :
- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
2 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,508
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 18A | FASTIRFET™, HEXFET® | Obsolete | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | PQFN (5x6) | 3.8W (Ta), 132W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 18A (Ta), 105A (Tc) | 6 mOhm @ 50A, 10V | 3.9V @ 150µA | 50nC @ 10V | 2116pF @ 50V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
3,854
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8 | OptiMOS™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | PG-TDSON-8 | 125W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 14.9A (Ta), 90A (Tc) | 6 mOhm @ 50A, 10V | 3.5V @ 90µA | 68nC @ 10V | 4900pF @ 50V | 6V, 10V | ±20V |