- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,883
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 10A SO8FL | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 3.1W (Ta), 77W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 10A (Ta), 50A (Tc) | 15 mOhm @ 20A, 10V | 4V @ 250µA | 20nC @ 10V | 1300pF @ 50V | 6V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,423
有现货
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 68A LFPAK | TrenchMOS™ | Discontinued at Digi-Key | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | SC-100, SOT-669 | LFPAK56, Power-SO8 | 195W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 68A (Tc) | 15 mOhm @ 20A, 10V | 4V @ 1mA | 54.5nC @ 10V | 3958pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
825
有现货
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CHANNEL 100V 50A TO252 | Automotive, AEC-Q101 | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252, (D-Pak) | 2.9W (Ta) | N-Channel | - | 100V | 50A (Tc) | 15 mOhm @ 20A, 10V | 3.5V @ 250µA | 33.3nC @ 10V | 1871pF @ 50V | 6V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,617
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON | OptiMOS™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | PG-TSDSON-8 | 2.1W (Ta), 63W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 40A (Tc) | 15 mOhm @ 20A, 10V | 2.1V @ 33µA | 35nC @ 10V | 2500pF @ 50V | 4.5V, 10V | ±20V |