- 系列 :
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- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
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- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,597
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23 | TrenchFET® | Obsolete | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SOT-23 | 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) | N-Channel | 100V | 3.1A (Tc) | 126 mOhm @ 2A, 10V | 3V @ 250µA | 10.4nC @ 10V | 196pF @ 50V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,351
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23 | TrenchFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SOT-23-3 (TO-236) | 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) | N-Channel | 100V | 3.1A (Tc) | 126 mOhm @ 2A, 10V | 3V @ 250µA | 10.4nC @ 10V | 196pF @ 50V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,588
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-Pak | 2.5W (Ta), 25W (Tc) | P-Channel | 100V | 3.1A (Tc) | 1.2 Ohm @ 1.9A, 10V | 4V @ 250µA | 8.7nC @ 10V | 200pF @ 25V | 10V | ±20V |