- 系列 :
- 功耗(最大) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
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- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,225
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 51A 8PQFN | PowerTrench® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | 8-PQFN (5x6), Power56 | 63W (Tc) | N-Channel | 100V | 51A (Tc) | 12.8 mOhm @ 16A, 10V | 4V @ 90µA | 14nC @ 6V | 1515pF @ 50V | 6V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,293
有现货
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH LFPAK | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | SC-100, SOT-669 | LFPAK56, Power-SO8 | 117W (Tc) | N-Channel | 100V | 51A (Tc) | 16.3 mOhm @ 15A, 10V | 4V @ 1mA | 54nC @ 10V | 2744pF @ 50V | 10V | ±20V |