- 零件状态 :
- 功耗(最大) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
3 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
941
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK | - | Obsolete | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D2PAK | 167W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 58A (Tc) | 18.2 mOhm @ 58A, 10V | 4V @ 250µA | 100nC @ 10V | 3500pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,101
有现货
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Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CH 100V 58A 8PDFN | - | Obsolete | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | 8-PDFN (5x6) | 36W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 58A (Tc) | 12 mOhm @ 30A, 10V | 4V @ 250µA | 145nC @ 10V | 3902pF @ 30V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,519
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 58A TO263-3 | OptiMOS™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D²PAK (TO-263AB) | 94W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 58A (Tc) | 12.3 mOhm @ 46A, 10V | 3.5V @ 46µA | 35nC @ 10V | 2500pF @ 50V | 6V, 10V | ±20V |