- 系列 :
- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
3 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
获得报价 |
3,731
有现货
|
Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 18A PPAK 1212-8 | TrenchFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 | 3.8W (Ta), 52W (Tc) | N-Channel | 100V | 18A (Tc) | 58 mOhm @ 5.5A, 10V | 4.4V @ 250µA | 20nC @ 10V | 750pF @ 50V | 10V | ±20V | |||
|
获得报价 |
1,308
有现货
|
Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 18A 1212-8 | TrenchFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 | 3.8W (Ta), 52W (Tc) | N-Channel | 100V | 18A (Tc) | 58 mOhm @ 5.5A, 10V | 4.4V @ 250µA | 20nC @ 10V | 750pF @ 50V | 10V | ±20V | |||
|
获得报价 |
3,496
有现货
|
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 18A TO252 | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252 | 37W (Tc) | N-Channel | 100V | 18A (Tc) | 80 mOhm @ 3.3A, 10V | 3V @ 250µA | 25.2nC @ 10V | 1172pF @ 50V | 4.5V, 10V | ±20V |