- FET型 :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
608
有现货
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CHAN 61V 100V TO252 | Automotive, AEC-Q101 | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252 | 42W (Tc) | N-Channel | 100V | 12A (Tc) | 140 mOhm @ 5A, 10V | 3V @ 250µA | 9.7nC @ 10V | 1167pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
3,390
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D2PAK | 3.7W (Ta), 88W (Tc) | P-Channel | 100V | 12A (Tc) | 300 mOhm @ 7.2A, 10V | 4V @ 250µA | 38nC @ 10V | 860pF @ 25V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
2,935
有现货
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 12A LFPAK | TrenchMOS™ | Discontinued at Digi-Key | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | SC-100, SOT-669 | LFPAK56, Power-SO8 | 45W (Tc) | N-Channel | 100V | 12A (Tc) | 113 mOhm @ 5A, 10V | 4V @ 1mA | 10.4nC @ 10V | 601pF @ 25V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
2,290
有现货
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 12A TO252 | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3 | 42W (Tc) | N-Channel | 100V | 12A (Tc) | 140 mOhm @ 5A, 10V | 3V @ 250µA | 9.7nC @ 10V | 1167pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V |