- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
2 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,747
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 27.8A PPAK SO-8 | TrenchFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® SO-8 | 5W (Ta), 35.7W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 27.8A (Tc) | 23 mOhm @ 10A, 10V | 2.8V @ 250µA | 29.5nC @ 10V | 900pF @ 50V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,909
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 27.5A PPAK SO-8 | TrenchFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® SO-8 | 5W (Ta), 35.7W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 27.5A (Tc) | 23.5 mOhm @ 10A, 10V | 2.8V @ 250µA | 23nC @ 10V | 730pF @ 50V | 4.5V, 10V | ±20V |